英特尔发布0.18微米快闪存储芯片
Posted on 八月 16rd, 2007 由 admin
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正文
5月8日,英特尔公司发布了第一个采用0.18微米工艺的快闪存储芯片－－英特尔ò0.18微米advanced+bootblock快闪存储芯片。该产品是英特尔的第四代bootblock存储器系列产品，将提供新一代的安全防护解决方案，可使数字移动电话和互联网应用设备被复制或假冒的风险降到最低。
英特尔的新型高速可编程0.18微米advanced+bootblock快闪存储芯片不需昂贵的外部电压切换逻辑设计，因此降低了生产时间。内置的保护寄存口以及64兆位密度设计－－advanced+bootblock计划采用的三种密度中的一种－－不需要使用额外的安全保护芯片和多重快闪存储器组，从而降低系统设计成本。
英特尔0.18微米advanced+bootblock快闪存储器包括了英特尔òflashdataintegrator(ifdi)软件，它为英特尔的用户提供了用户自定义密码和数据容量的灵活性，并且无需为改变系统需要而重新设计硬件。
32兆位密度设计的0.18微米advanced+bootblock快闪存储芯片现已开始样品供货，预计于今年秋季进入量产付运。
英特尔从0.25微米改而使用0.18微米工艺制造0.18微米advanced+bootblock器件以及其他未来的快闪存储芯片，将能大大提高产量、降低成本。这将进一步满足由于无线市场的快速增长而产生的对闪存的巨大需求。
英特尔估计，由于采用0.18微米技术，oem厂商到2001年将能为市场额外增产1亿台的掌上型装置。
英特尔的快闪工艺由0.25微米进步至0.18微米，其主要推动力是英特尔公司应用于硅片生产厂的"精确复制"(copyexactly)系统。这一系统使英特尔的快闪存储芯片能持续不断地利用最先进的技术，提升密度与整体效能。英特尔公司位于加州santaclara的硅片生产厂已开始使用0.18微米技术生产快闪存储芯片，到今年底，英特尔位于奥勒冈、新墨西哥、以及科罗拉多的芯片生产厂也将加入0.18微米的生产阵容。
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