INTEL公司推出新高性能手机存储芯片
Posted on 八月 16rd, 2007 由 admin
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正文
intel公司于今日正式对外宣布该公司将会正式投产目前世界上第一款采用90纳米生产工艺的mlc nor闪存。据intel公司介绍采用新工艺生产的这款m18闪存将会能提供比上一代采用130纳米工艺的产品拥有更快的性能，更高的存储容量以及更低的功耗因此可以更好得满足现代多功能手机对存储方面的要求。
intel公司闪存部副总裁darin billerbeck表示:“闪存的发展将会是推出下一代手机应用的一个推动力，而m18则是一款集高性能、大容量、低功耗于一身的新产品。另外m18采用的是intel公司可靠经济的第五代mlc技术。”
据介绍m18拥有目前所有同类产品中最快的数据带宽达到了133mhz，这个数字应该来说是极具竞争力的，另外m18的写入速度可以达到0.5m/s 因此m18可以很好得对300万像素级别的手机及mpeg4视频提供良好支持。由于m18的成本更低，因此oem厂商将会由此而获得更大的利益。
相比前一代产品，m18的功耗只有前一代产品的1/3，由于该产品能够支持最新的deep power down 操作模式因此可以带来更长的电池续航时间。在容量上，m18目前有单片256m和512m规格以及最大封装容量为1g的产品。
索爱公司副总裁peter carlsson表示:“m18诉高性能高容量低功耗将会令索爱的手机能够拥有更加丰富的功能。”
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