九十纳米先进制程技术将决定英特尔竞争优势
Posted on 八月 16rd, 2007 由 admin
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正文
英特尔公司本月中旬宣布业界最先进的九十纳米半导体生产制程，该制程技术目前已用于生产芯片结构以及内存芯片，并将于明年在12吋晶圆厂投入量产下一代prescott处理器。九十纳米(一纳米等于十亿分之一公尺)制程结合高效能、低耗电晶体管、超限度硅晶(strained silicon)、高速铜导线、以及新型低介电材料等技术，此外英特尔的九十纳米纳米制程技术整合七层的高速铜导线并制造长度仅有五十纳米(闸极长度)的晶体管，能提升处理器效能。
英特尔计划将百分之七十五用于一百三十纳米制程的十二吋晶圆制程中的工具重复应用在九十纳米制程技术，以降低建置成本并确保成熟的工具组协助制程转移的工作。九十纳米制程将于d1c厂转进至量产阶段，并将于明年陆续转移至其它十二吋晶圆厂。
对于英特尔最新公布的九十纳米制程技术，业内人士及分析家普遍认为九十纳米制程技术将使英特尔在与包括超微半导体在内的处理器及其他芯片供应商的竞争中占据极大优势，英特尔与超微间的竞争也有可能在英特尔率先采用九十纳米制程技术后见出分晓。分析家表示，藉由产能的提升，率先采用九十纳米制程技术后英特尔的制造成本将大幅度降低，若超微转进九十纳米制程技术的步伐落后于英特尔过多，那么超微很有可能再也没有机会在处理器工作频率及制程技术上赶上英特尔。
从传统的发展趋势上看，处理器及逻辑电路将成为九十纳米制程技术的最先受益者，而dram芯片暂时还将停留在一百三十纳米制程技术上。
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