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正文

　　　　富士通能够通过前所未有的25nm技术实现一个单面阵列纳米孔。这一成就已经在本月9日的美国巴尔的摩举行的磁技术国际会议“jointmmm/intermagconference(mmm-intermag2007)”上进行了详细发表。而这一成绩的实现，是在yamagatafujitsulimited、fujitsulaboratorieslimited和kanagawaacademyofscienceandtechnology(kast)三家公司和机构的通力合作下完成的。
　　近日，富士通公司对外宣布，将开发一种新的存储媒介技术，可以动态增加硬盘媒介的区域密度，从而便利了高容量硬盘的开发。

　　富士通能够通过前所未有的25nm技术实现一个单面阵列纳米孔。这一成就已经在本月9日的美国巴尔的摩举行的磁技术国际会议“jointmmm/intermagconference(mmm-intermag2007)”上进行了详细发表。而这一成绩的实现，是在yamagatafujitsulimited、fujitsulaboratorieslimited和kanagawaacademyofscienceandtechnology(kast)三家公司和机构的通力合作下完成的。

　　随着这一最新晶格介质的发布，富士通已经成功以25nm工艺实现了纳米孔，从而使未来在hdd上实现密度达1万亿比特(terabit)/平方英寸的记录。而这一数值较之传统硬盘的密度高出了足足5倍多。理论上，存储密度达1万亿比特(terabit)/平方英寸可以使3.5英寸硬盘的容量达到5tb，2.5英寸笔记本硬盘达到1.5tb，而1.7英寸移动硬盘将达到500gb。目前在硬盘区域存储密度领域的记录保持者是希捷公司，它曾经实现了在每平方英寸面积存储421gb数据。

　　此外，在mmm/intermag会议上，富士通还透露了其对随机晶格介质的垂直记录写入/读取操作的开发。